محققان در تلاش بودند مدارهايي را با استفاده از گرافين يعني ساختاري شبکهاي و دوبعدي از اتمهاي کربن ايجاد کنند .


به گزارش سرويس دانش و فناوري برنا ،خواص الکترونيکي گرافين اين ماده را به جانشيني ايدهآل براي ترانزيستورهاي سيليکوني با حجم بزرگتر مبدل ساخته است.

با اين حال بزرگترين مشکلي که محققين با آن مواجه بودند تداخلات فرکانسي بود .

سيگنالهاي الکتريکي که در اطراف ساختمان اتمها ايجاد ميشود کارکرد عادي آنرا مختل کرده و سبب بروز حالتي ميشود که به آن «قانون هوگ» ميگويند .

دانشمندان IBM اين مشکل را با افزودن لايه دومي از گرافين به ترانزيستور رفع کردند .

به کارگيري لايه دوم موجب خواهد شد تا اثر تداخلي تا اندازهاي کاهش يابد که ترانزيستور بتواند عملکرد عادي خود را بازيابد.