خبرگزاري فارس: توشيبا نسل جديد حافظه فلش را با فناوري 24 نانومتريميسازد. با اين فناوري توشيبا 8 گيگابايت اطلاعات را تنها بر روي يك چيپذخيره ميكند.


به گزارش گروه "فضاي مجازي " خبرگزاري فارس،توشيبا اعلام كرد توليد انبوه نسل جديد حافظه فلش NAND را با فناوريپردازش 24 نانومتري آغاز كرده است. استفاده از اين فناوري باعث شده است تاتوشيبا بتواند كوچكترين چيپ حافظه را با تراكم بسيار بالا بسازد؛ بطوري كهاين تراكم در چيپهاي جديد به 2 بيت در هر سلول رسيده است.

اين تراكم توشيبا را قادر ساخته است تا 8 گيگابايت اطلاعات را تنها در يك چيپ ذخيره كند.

توشيباتوانسته است اين فناوري را با فناوري DDR همراه كند كه افزايش سرعت درخواندن و نوشتن را تا 2 برابر سرعت فعلي در پي خواهد داشت.

اينشركت در تلاش است تا بتواند به تراكم بالاتري دست يابد. بنابر اعلام رسميتوشيبا توليدات بعدي، با تراكم 3 بيت در هر سلول ساخته خواهد شد. اينميزان تراكم، توشيبا را به قدرت بلامنازع عرصه حافظههاي NAND تبديل خواهدكرد.

اين شركت هماكنون حافظه مورد نياز براي استفاده درگوشيهاي هوشمند، رايانههاي لوحي و دوربينهاي ديجيتال را تأمين ميكند.بسياري از اين محصولات توانايي ذخيره و پخش فيلمهاي HD را دارا ميباشند.