هدف ،تهیه قرصهای تک بلور بزرگ سیلیسیومی است که قطر آن 5/7سانتیمیتر یا بیشتر بوده و دارای خصوصیات زیر باشند .

-کم بودن تعداد نقصانها در واحد سطح.

-تمرکزپایین و کنترل شده نا خالصی (به طور معمول در مرحله ای از فرایند آمادهسازی تنها چند اتم ناخالصی در یک میلیارد اتم سیلیسیوم وجود خواهد داشت ).

-ضخامت نهایی قرص بین 50تا 300 میکرو متر باشد .

-معمولا یک سطح صاف و صیقل برای لیتوکرافی نوری کافی است .

روش مرسوم ازین قرار بوده است :تصفیه مواد خام ،رشد تک بلورها بافرایندهای ذوب کردن و جامد سازی تدریجی با گرادیانهای حرارتی دقیقا کنترلشده وسپس بریدن شمش تک بلوری حاصل به صورت قطعات کوچک و سرانجام صیقل زدنآنها .مهمترین موارد صرف هزینه و انرژی در مرحله ساخت مراحل تصفیه و رشدبلور است .مورد هزینه ساز دیگر شیوه مرسوم ،ضایعات برش شمشهاست – هنگامبریدن شمشها و تبدیل آن به قرص تا یک سوم ماده تک بلور به شکل «خاک اره»از بین می رود.با برسیهای

مقدماتی ،توجه داشته باشید که اصلاحمراحل آماده سازی تک بلور ها برای کاهش هزینها به روشهای اصلاح شده خالصسازی و راههای ساخت بلورهای کامل تا حد معقول وابسته است که دارای ضخامتنهایی باشند و نیازی به بریدن آنها نباشد . دانهای ریز کوارتزیت –ماسه سنگ–را با کربن مخلوط می کنند و در یک کوره قوس الکتریکی با دمای زیاد احیامی کنند تنا سیلیسیوم مذاب نسبت نا خالصی به دست آید .این ماده را در یکظرف شبیه قایق تخلیه کرده و به سرعت سرد می کنند تا سیلیسیوم چند بلورینوع متا لورژیک (MG-Si)به دست اید . این ماده ضمن واکنش با Hcl تولید

گاز تری کلروسیلان (سیلیکو کلروفرم )می کند که به مایع تبدیل می شود وقسمتی از آن به طور مرحله ای تقطیر می شود و یک ماده نیمه هادی خالص تر بهنام تری کلروسیلان به دست می ایند .ترکیب این ماده با هیدروژن در محفظه ایبا ماده زمینه ای سیلیسیوم که به طریق الکتریکی 1000تا1200درجه سانتیگرادحرارت می بیند سبب رسوب SeG-Siبر روی ماده زمینه ای می شود

برایتشکیل سیلسیوم تک بلوری و خالص تر، از فرایند جامدسازی چکر السکی (CZ) یافرایند جامد سازی منطقه شناور(FZ) استفاده می شود . د رفرایند چکر السکی(CZ)یک قطعه کوچک سیلسیوم تک بلوری جهت دار را به عنوان دانش بکار می برندو آن را با سطح سیلیسیوم مذاب درون یک بوته ازمایش که به آرامی در چرخشاست تماس می دهند .ماده سیلیسیوم مذاب بر روی دانه مذکور که به کندی بالاآورده می شود سرد می شود و یک شمش تک بلوری استوانه ای به قطر 5/7 تا 5/12سانتیمتر و به طول حداکثر یک متر تشکیل می دهد . د رخلال فرایند رشد (CZ)نیز نوعی تصفیه صورت می گیرد. د ر روش منطقه شناور،یک منطقه

مذاب ازمیان یک شمش سیلیسیومی نسبتا خاص عبور می کنند و باعث توزیع مجددناخالصیها می شود که مانند فرایند رشد CZ است . از آنجا که تمرکز ناخالصیدرون مایع معمولا بیشتر از جامد است ، عبور مناطق نازک ذوب شده از یک شمشبا ناخالصی 01/0 درصد سبب می شود ناخالصیها به یک طرف شمش کشیده شوند و دروسط آن ناحیه ای پدید آید که نا خالصی آن کمتر از یک قسمت در 10000000000(10به توان 10( است . در پایان مراحل ، شمش استوانه ای با اره به قرص هایگردی به ضخامت تقریبی 250 میکرو متر بریده می شود . معمولا نرخ رشد چندسانتیمتر در ساعت در فرایند های CZوFZ مناسب است . یک هدف در بررسی و ساختپیل های خوشیدی یافتن راههایی است برای ساخت صفحات سیلیسومی نازک با رشدسریع که دیگر نیازی به برش نداشته باشند .